抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A．Na+、C1ˉ、 参考答案：D
生理学论述题：试述抑制性突触后电位的产生过程。 抑制性突触后电位产生过程如下：抑制性神经元兴奋，神经末梢释放抑制性递质，后者经过扩散与突触后膜受体结合，从而使后膜对K、Cl，尤其是Cl的通透性提高，膜电位增大而出现超极化，即抑制性突触后电位(IPSP)。它可降低后膜的兴奋性，阻止突触后神经元发生扩布性兴奋，因而呈现抑制效应。
抑制性突触后电位产生的离子机制主要是A．Na+内流 B．K+外流 C．Ca2+内流 参考答案：D
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是： D出现超极化
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是A．突触前轴突末梢去极化B．Ca2＋由膜外进入突触前膜
可产生抑制性突触后电位的离子基础是（） A.K+ B.H+ C.Ca2+ D.Cl- 参考答案：D
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的？ 参考答案：兴奋性突触后电位：突触前膜发生去极化→Ca2+内流→突触小泡的出胞→兴奋性递质释放→与后膜受体结合→引起Na+内流>；K+外流→结果使后膜去极化→（或通过总和）达。
