半导体制程，经历了哪些重大的发展节点？ 这的信息量有点大，供参考。题主的问题是半导体制造的制程节点，那么也就是指所谓\"XXnm\"的…
电介质的相对介电常数是如何定义的？其物理意义是什么？与绝对介电常数的关系是 定义：其值等于2113以预测材料为介质5261与以真空为介质制成的同尺寸电容器4102电容量之比，1653该值也是材料贮电能力的表征。也称为相对电容率。物理意义：相对介电常数，表征介质材料的介电性质或极化性质的物理参数。不同材料不同温度下的相对介电常数不同，利用这一特性可以制成不同性能规格的电容器或有关元件。能产生电极化现象的物质统称为电介质。与绝对介电常数的关系：相对介电常数=某介质介电常数与真空介电常数的比值.绝对介电常数又称真空介电常数。（在真空中时），是一个物理常数，符号为ε0，一般情况下为ε*ε0。扩展资料：相对介电常数测量方法相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量：首先在两块极板之间为真空的时候测试电容器的电容C0。然后，用同样的电容极板间距离但在极板间加入电介质后测得电容Cx。然后相对介电常数可以用下式计算εr=Cx/C0在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率εr=1.00053。因此，用这种电极构形在空气中的电容Ca来代替C0来测量相对电容率εr时，也有足够的准确度。（参考GB/T 1409-2006）对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。原理介质在外加电场时会产生感应电荷而。
请问硅的相对介电常数是多少？ 介电常数有相对介电常数和有效介电常数之分，平时我们说的介电常数就是相对介电常数，硅的相对介电常数是11.9
金属的介电常数是多少？ 金属的介电常数是什么概念？我看到过几种说法，但最多的说是无穷大，那么我想问如果在一个比较大的电容器…
锗与硅 做半导体材料 各自的优缺点 先说说硅：作为现在最广泛应用的半导体材料，它的优点是多方面的。1）硅的地e799bee5baa6e79fa5e98193e78988e69d8331333262363132球储量很大，所以原料成本低廉。2）硅的提纯工艺历经60年的发展，已经达到目前人类的最高水平。3）Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得，非常完美。通过后退火工艺可以获得极其完美的界面。4）关于硅的掺杂和扩散工艺，研究得十分广泛，前期经验很多。不足：硅本身的电子和空穴迁移速度在未来很难满足更高性能半导体器件的需求。氧化硅由于介电常数较低，当器件微小化以后，将面临介电材料击穿的困境，寻找替代介电材料是当务之急。硅属于间接带隙半导体，光发射效率不高。锗：作为最早被研究的半导体材料，带给我们两个诺贝尔奖，第一个transistor和第一个IC。锗的优点是：1）空穴迁移率最大，是硅的四倍；电子迁移率是硅的两倍。2）禁带宽度比较小，有利于发展低电压器件。3）施主/受主的激活温度远低于硅，有利于节省热预算。4）小的波尔激子半径，有助于提高它的场发射特性。5）小的禁带宽度，有助于组合介电材料，降低漏电流。缺点也比较明显：锗属于较为活泼的材料，它和介电材料的界面容易发生氧化还原反应，生成GeO，产生较多缺陷。
真空介电常数和相对介电常数 介电系数，是一个在电的位移和电场强度之间存在的比例常量.这一个常量在自由的空间（一个真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）.在其它的材料中，介电系数可能差别很大，经常远大于真空中的数值，其符号是eo.在工程应用中，介电系数时常在以相对介电系数的形式被表达，而不是绝对值.如果eo表现自由空间（是，8.85×10的-12次方F/m）的介电系数，而且e是在材料中的介电系数，则这个材料的相对介电系数（也叫介电常数）由下式给出：ε1＝ε/εo＝ε×1.13×10的11次方 很多不同的物质的介电常数超过1.这些物质通常被称为绝缘体材料，或是绝缘体.普遍使用的绝缘体包括玻璃，纸，云母，各种不同的陶瓷，聚乙烯和特定的金属氧化物.绝缘体被用于交流电（AC），声音电波（AF）和无线电电波（射频）的电容器和输电线路.
请问SIC半导体与硅半导体的主要差别是什么？ 硅(Si)是研究较2113早的半导体材料，是第一5261代半导体的代表。半个多世纪以来，硅半导体技4102术的1653长足发展极大地促进了电力和电子技术的进步。尤其到了20世纪70年代，集成电路制造技术的成熟，奠定了硅在整个半导体行业中的领军地位。目前，除了极少数微波加热电源还使用真空电子管之外，几乎所有的电力和电子器件都使用Si材料来制造。尤其在集成电路中，99％以上用的都是Si半导体材料。然而随着科学的进步和半导体技术的发展，Si由于材料本身的特点在某些应用领域的局限性逐渐表现出来。例如，其带隙较窄(～1．12eV)、载流子迁移率和击穿电场较低等，限制了其在光电子领域以及高频、高功率器件方面的应用L1。第三代半导体也称为宽带隙半导体(禁带宽度超过2．0eV)，如金刚石、碳化硅(SiC)、Ⅲ一V族氮化物、Ⅱ一Ⅵ族Zn基化合物及其固溶体等。其中以金刚石、SiC、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)为第三代半导体的代表材料。宽带隙使第三代半导体具有许多共同的性能特点，包括高熔点、高临界击穿电场、高热导率、小的介电常数、大的激子束缚能、大的压电系数以及较强的极化效应等。SiC电学性能SiC具有较高的临界击穿电场、高热导率和饱和电子迁移率等特点，适合于制造。
二氧化硅的介电常数是多少？ 3.9。我们半导体物理学书上是3.9。下面给的链接里有不同氧化方法得到的二氧化硅的相对介电常数也都在3.9左右。做题什么的最好就取3.9
平板电容值的计算公式可表示为：C=εS/d=εrεoS/d其中ε=εrεoε为zhidao充填电容的该材料的介电专常数；εr为该材料的相对介电常数；εo为真空属介电常数。从中，你可以很容易地明白相对介电常数与介电常数的区别了。
