如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本。
如何计算禁带宽度，价带和导带 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：zss17862971852由UV-vis光谱求样品的Eg一半导体2113禁带求5261导公式hC(hvEg)hC(hvEg)21/2通常(ahv)？是有单位的，4102(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2和(ahv)2只与hv成线性关系，能用1653于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：AhK1/2hvEg2AhhvEgKK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，1/22(Ah)(Ah)以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）（2）F(r)=(1-R)2/2R=a/sR为反射率，a吸收系数，s反射系数求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用F(R)*E做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱1/2二求半导体禁带实例将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：下面用Kubelka-Munk公式处理：三关于K值大小对结果的影响E。
请问各位如何计算带隙能啊？ A是一常数与材料本身性质有关（直接、间接带隙），a是TiO2对不同hv（光子能量）的吸收系数 通常用分光光度计来测试
