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二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 二次电子背散射电子x射线点分辨率最高的是

2020-10-02知识7

扫描电镜中二次电子像为什么比背射电子像的分辨率更高?

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为什么扫描电子显微镜的分辨率和信号的种类有关?

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二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 二次电子2113和背散射电子成像的区别都有哪些特点及5261应用:二次电子4102像具有分辨率高、景深大;立体感强的特1653点,F≈d0/β主要用于反映样品表面形貌。背散射电子像具有分辩率低、背散射电子检测效率低,衬度小的特点,主要用于反映原子序数衬度。

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SEM背散射电子下,原子系数越大是越亮还是越暗,二次电子下是不是相反的。 背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的,所以原子序数大的原子越大,弹性碰撞的概率越大,所以原子序数大的背散射电子强度的大;二次电子是从样品表面发射的电子,跟原子序数没关系,跟样品的表面形态有关,因为撞击角度90度是二次电子基本么有,倾斜装机的二次电子产率就很高了,所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

背散射电子能获得与二次电子同级别分辨率的图像吗? 应该不可以吧,两种电子的能量不同,导致两种电子的波长不同,这是决定分辨率的一个因素,另外估计背散射的电子束的平行度应该也要差一些,这也会降低分辨率。以上只是个人主观认为的,实际的我也不清楚,没拍过。

二次电子的主要特点是什么啊? 二次电子Secondary electron二次电子是指背入射电子轰击出来的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小,当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后,可脱离原子成为自由电子。如果这种散射过程发生在比较接近样品表层处,那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出,变成真空中的自由电子,即二次电子。二次电子来自表面5-10nm的区域,能量为0-50eV。它对试样表面状态非常敏感,能有效地显示试样表面的微观形貌。由于它发自试样表层,入射电子还没有被多次反射,因此产生二次电子的面积与入射电子的照射面积没有多大区别,所以二次电子的分辨率较高,一般可达到5-10nm。扫描电镜的分辨率一般就是二次电子分辨率。二次电子产额随原子序数的变化不大,它主要取决与表面形貌。入射电子与样品核外电子碰撞,使样品表面的核外电子被激发出来的电子,是作为SEM的成像信号,代表样品表面的结构特点。俄歇电子如果原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量不是以X射线的形式释放而是用该能量将核外另一电子打出,脱离原子变为二次电子,这种二次电子叫做俄歇电子。因每一种原子都由自己特定的壳层能量,所以它们的俄歇电子能量也各有。

二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像zd的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相。二次电子像:1)凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大。2)平面上的二次电子产额较小,亮度较低。3)在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度专也较暗。背散射电子像:1)用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低。2)背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析。因此,背散射电子形貌分析效果远不属及二次电子,故一般不用背散射电子信号。

利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 1、分辨率不同二次电子的分辨率高,因而可以得到层次清晰,细节清楚的图像,被散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的,成像单元较大,因而分辨率较二次电子像低。2、运动轨迹不同(1)被散射电子以直线逸出,因而样品背部的电子无法被检测到,成一片阴影,衬度较大,无法分析细节,但可以用来显示原子序数衬度,进行定性成分分析。二次电子对试样表面状态非常敏感,能有效地显示试样表面的微观形貌。(2)利用二次电子作形貌分析时,可以利用在检测器收集光栅上加上正电压来吸收较低能量的二次电子,使样品背部及凹坑等处逸出的电子以弧线状运动轨迹被吸收,因而使图像层次增加,细节清晰。3、能量不同(1)二次电子是指当入射电子和样品中原子的价电子发生非弹性散射作用时会损失其部分能量(约 30~50 电子伏特),这部分能量激发核外电子脱离原子,能量大于材料逸出功的价电子可从样品表面逸出,变成真空中的自由电子。(2)被散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子。既包括与样品中原子核作用而形成的弹性背散射电子,又包括与样品中核外电子作用而形成的非弹性散射电子,所以被散射电子能量较高。扩展资料:应用范围⑴生物:。

#分辨率#图像分辨率#原子#二次电子#背散射电子

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