半导体存储器的结构主要包括哪三个部分 7.1 概述 半导体存储器以其容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等特点，已广泛应用于数字系统。根据用途分为两大类：1、只读存储器 ROM。用于存放永久性的、。
静态RAM基本存储电路 那个T3，T4是有源负载，5261相当于电阻，T3是T1的负4102载电阻，T4是T2的负载电阻，都是导通的，为T1，T2提供漏极1653电压的。而真正导通和截止形成反相的，有两个稳定状态的是T1，T2。因为在集成电路内部不方便做电阻，所以，就用这种电路做电阻了。存储器是计算机的记忆部件。CPU 要执行的程序、要处理的数据、处理的中间结果等都存放在存储器中。目前微机的存储器几乎全部采用半导体存储器。存储容量和存取时间是存储器的两项重要指标，它们反映了存储记忆信息的多少与工作速度的快慢。半导体存储器根据应用可分为读写存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。读写存储器(RAM)读写存储器又称随机存取存储器(Random Access Memory)简称RAM，它能够在存储器中任意指定的地方随时写入或读出信息；当电源掉电时，RAM 里的内容即消失。根据存储单元的工作原理，RAM 又分为静态RAM 和动态RAM。静态RAM 用触发器作为存储单元存放1 和0，存取速度快，只要不掉电即可持续保持内容不变。一般静态RAM 的集成度较低，成本较高。动态RAM 的基本存储电路为带驱动晶体管的电容。电容上有无电荷状态被视为逻辑1 和0。随着时间的推移，电容上的电荷会逐渐减少，为保持其内容必须周期。
静态存储器与动态存储器的定义是什么？ 静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。扩展资料：动态存储器的工作原理动态RAM是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。在3管动态RAM电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。写操作时，写选择线为\"1\"，Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时，Q3处于可导通的状态。若原来存有\"1\"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电。此时读得的信息为\"0\"，正好和原存信息相反。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反，所以要通过读出放大器进行反向再送往数据总线。
五、画出MOS六管静态和动态存储单元的电路原理图，并简述信息写入、读出的工作过程。 写“1”：在I/O线上输入高电位，在I/O线上输入高电位，把高、低电位分别加在A，B点，使来T1管截止，T2管导通，至此“1”写入存储元。自写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，把低、高电位分别zhidao加在A，B点，使T1管导通，T2管截止，至此“0”写入存储元。
静态存储器是靠什么存储信息？动态存储器又是靠什么存储信息 静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。
动态MOS存储器与静态MOS存储器各有哪些特点 现在的2113RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两5261种。静态RAM是靠双稳态触发器4102来记忆信息的；1653动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。具有静态存储信息功能的MOS随机存储器，其存储单元的核心部分是双稳电路。只要电源不断，在单元内的信息便能长期保存，不需要对所存储的信息作周期性的刷新。一位静态存储单元是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T□～T□连接成双稳态电路，T□和T□组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此，MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分
Mos型静态存储单元工作状态下如何进行信息保持 一位静态存储单元是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T□T□连接成双稳态电路，T□和T□组成向单元存信息或取信息
