为什么硅不能做光器件？什么叫做直接带隙？什么叫做间接带隙？ 半导体物理 半导体物理 科技商业化工程师，Girasol Energy Inc.创始人。请阅读《激光原理》。另，硅发光的研究很早就取得突破了。。为什么硅不能做光器件？。
什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
由于硅材料是间接带隙的半导体材料，因此不易放光。 首先这句话对吗？如何全面的理解这句话？直接带隙半导体材料就容易发光？材料本身不发光，做成什么结构和采取什么措施让它发光呢的？这句话我总觉得是错的 简直是胡言乱语。
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本。
关于半导体中的直接带隙与间接带隙
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不。
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中.
直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
为什么硅不能做光器件？什么叫做直接带隙？什么叫做间接带隙？ 半导体物理 半导体物理 ？ 邀请回答 ？ 添加评论 这与半导体的能带结构（EK关系）有关。所谓EK关系，就是能量-动量关系。自由空间中粒子的动量越大，能量也越大。。
