单结晶体管自激振荡电路根据什么特性 单结晶体管自激振荡电路根据单结晶体管有一个负阻特性区，由它组成的触发电路具有脉冲前沿陡，可以移相等特性。单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图所示。只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区，两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图a中)。当基极B1和B2之间加上电压单结晶体管时（图中b），电流从B2流向B1，并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c），特别适用于开关系统中的弛张振荡。
单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Re 能实现( )。
单结晶体管触发电路震荡频率与电路中电容C1的数值有什么关系
单结晶体管触发电路震荡频率与电路中电容C1的数值有什么关系？ 电容在晶体管振荡电路中是重要的起振元件，利用它的充放电特性，在充电和放电间会产生断续的电压来触发晶体管，晶体管便断续地接通和关断，从而完成振荡，振荡的频率{次数}，由电容的充放电时间决定，充放电时间由电容的容量决定，容量越大充电时间越长，时间越长振荡的次数{频率]越少，因此可见电路的振荡频率与电路中的电容{c1}的容量{数值}呈反比关系，即电容容量越大，振荡频率越低，
单结晶体管的震荡 注意单结管接法，用万用表检查接法是否正确.再就是注意外围电路元件是否有误.因为外围电路简单，一来说是容易振荡的.且输出较大.附参考资料：单结晶体管（简称UJT）又称基极。
单结晶体管触发电路的振荡频率与电路中RP1有什么关系？ 改变RP1就改变充电回路的时间常数，实现控制角θ的大小的调整，达到触发脉冲移相的目的。
改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用什么？？ 可以改变单结晶体管触发极所以接的电容或电阻的大小来改变电容充放电速度，从而改变振荡频率.
1.单结晶体管触 改变RP1就改变充电回路的时间常数，实现控制角θ的大小的调整，达到触发脉冲移相的目的。
