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二次电子像和背散射电子像的区别 背散射电子成像优缺点

2020-10-01知识10

背散射电子的相关介绍 背散射电子成像(Back scattered Electron Imaging,简称BSE)是依托扫描电镜的一种电子成像技术,它的成像原理和特点非常适合用来研究那些表皮尚存的各类笔石标本,是二次电子成像(SEM)无法替代的。当前BSE图象显示了许多以往其他途径无法观察到的笔石微细结构,特别是笔石复杂的始端发育特征,结果验证了Psigraptus jacksoni的二分岔式和Rhabdinopora flabelliformis parabola的四分岔式原始分枝的观点,显示它们都具有最原始的等。背散射电子成像的衬度是由于原子序数的不同引起的,所以背散射电子一般用于区别不同的相,用来看金相试样的不同区。

二次电子像和背散射电子像的区别 背散射电子成像优缺点

背散射电子像是怎样的图像呢? 第一、扫描电镜照片是灰度图像,分为二次电子像和背散射电子像,主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌,基本和自然光反映的形貌一致,特殊情况需要对比分析。背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况,越亮的区域,原子序数越高。第二、看表面形貌,电子成像,亮的区域高,暗的区域低。非常薄的薄膜,背散射电子会造成假像。导电性差时,电子积聚也会造成假像。

二次电子像和背散射电子像的区别 背散射电子成像优缺点

二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点

二次电子像和背散射电子像的区别 背散射电子成像优缺点

二次电子像和背散射电子像的区别 背散2113射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的5261,所以原子序4102数大的原子越大,弹性碰撞的概率越1653大,所以原子序数大的背散射电子强度的大;二次电子是从样品表面发射的电子,跟原子序数没关系,跟样品的表面形态有关,因为撞击角度90度是二次电子基

二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相.二次电子像:1)凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大.2.

#二次电子#背散射电子#电子

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