为什么本征半导体的电阻率具有负的温度系数
为什么本征半导体的电阻率具有负的温度系数 决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下，由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度（掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以具有本征半导体特点。扩展资料半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度；该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。参考资料来源：—半导体电阻率参考资料来源：—本征半导体
半导体和金属的电阻率与温度关系有何差别 主要区别是金属的电阻率随温度32313133353236313431303231363533e59b9ee7ad9431333339663932升高而增大。而半导体的电阻率在低温、室温和高温情况下，变化情况各不相同。一、金属电阻率与温度的关系：金属材料在温度不高，温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率；α是电阻率的温度系数，与材料有关。锰铜的α约为1×10-1/℃(其数值极小)，用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。二、半导体电阻率与温度的关系：决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。在室温下：由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。在高温下：这时本征激发开始起作用，。
如何提高半导体材料的导电能力 导电好坏的判断可以根据单位电场（电压）下，电流的大小衡量。但如果说导电能力，则应该说由其电导衡量，由电导公式σ=nqμ+pqμ，则可看出由电子浓度和空穴浓度决定，因为。
在本征半导体中，导带的电子迁移率和价带空穴迁移率哪个较大？ 回答不出呀。销售蓝宝石、硅衬底 碳化硅衬底 PSS图形化衬底 氮化镓复合衬底 氮化镓自支撑衬底 氮化镓外延片 金刚石外延片。
室温下，硅掺杂质半导体是否存在最大电阻率？若存在，试求之（假设迁移率不随杂质浓度的变化而变化）
