高纯度单晶半导体材料是怎样制备的？ 为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。
（3分）高纯的单晶硅是重要的半导体材料。制备高纯硅的化学方程式为： 【解】设至少需要氢气的质量为x SiCl4+2H2 Si+4HCl 4 28 x 14 g…1分=或=…1分.
直拉法制备单晶硅的原理 首先搞清楚四个基本概念、晶体、非晶体、单晶、多晶。直拉法制备单晶硅原理：将多晶硅通过热场加热，融化成熔融状态，通过控制热场将液面温度控制在结晶的临界点，通过液面。
单晶材料的单晶制备方法： 此法为最常用方法，是从结晶物质的熔体中生长晶体。适用于光学半导体，激光技术上需要的单晶材料。（一）晶体生长的必要条件。根据晶体生长时体系中存在的—由熔体（m）向晶体（C）自发转变时—两相间自由焓的关系：Gm(T)>；Gc(T)，即△G=Gc(T)-Gm(T)≈△He-Te△Se-△T△Se=△T△Se。结晶时，△Se>；0，只有△T。熔体单晶体生长的必要条件是：体系温度低于平衡温度。体系温度低于平衡温度的状态称为过冷。T的绝对值称为过冷度。过冷度作为熔体晶体生长的驱动力。一般情况：该值越大，晶体生长越快。当值为零时，晶体生长停止。（二）晶体生长的充分条件晶体生长是发生在固-液（或晶-液）界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态，绝大部分熔体处于过热态（温度高于Te）。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶体生长界面间的熔体为过冷熔体。且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增大。晶体的温度最低。这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的必要条件。热量由熔体经生长面传向晶体，并由其转出。晶体生长的充分条件：（dT/dz）c一定、(dT/dz）m为。
材料合成与制备的介绍 《材料合成与制备》是华东理工大学出版社2010年出版图书，全书共分9章，内容主要包括：新型金属材料的快速凝固制备原理与技术、材料合成与制备过程的界面问题、非晶态合金的形成机制和制备方法、金属基复合材料的合成与制备技术、原位金属基复合材料的合成与制备、单晶材料的制备、金属纳米结构材料合成与制备、纳米颗粒的合成与制备、功能陶瓷材料等。本书可作为材料科学与工程专业高年级本科生和研究生的专业基础课教材，也可作为相关领域科技人员的参考书。
关于单晶硅制备的论文参考文献十个 [1]苏旭，常彦龙，马传利，王春明.单晶硅表面贵金属晶粒层的制备[J].化学学报，2008，(10)[2]胡沙.金川现有精炼流程改进的研宄[J].中国有色冶金，1988，(07)[3]魏永亨.国外汽车排气净化催化剂的研究与开发[J].环境科学动态，1988，(12)[4]刘建国.釉保护金法彩瓷[J].陶瓷研究与职业教育，1990，(03)[5]卢邦洪，王松滨.贵金属材料密度的精确测定[J].贵金属，1997，(01)[6]蒋鹤麟.微电子工业中的贵金属浆料[J].贵金属，1997，(04)[7]崔薇.俄罗斯规范贵金属开采业[J].世界采矿快报，1997，(04)[8]新技术与成果[J].中国金属通报，2001，(07)[9]张伟刚，吴丰顺，吴懿平，安兵，何劲强.国外电子废弃物的回收利用技术[J].中国环保产业，2006，(06)[10]马弘，侯凯湖.贵金属回收中的离子交换树脂技术[J].中国资源综合利用，2006，(09)[1]金井升，舒碧芬，沈辉，李军勇，陈美园.单晶硅太阳电池的温度和光强特性[J].材料研究与应用，2008，(04).[2]杜家熙，苏建修，万秀颖，宁欣.单晶硅片化学机械抛光材料去除特性[J].北京科技大学学报，2009，(05).[3]杜忠明，刘祖明.多晶硅与单晶硅的扩散比较[J].云南师范大学学报(自然科学版)，2007，(01).[4]高晓宇.单晶硅微观力学性能研究[J].科技信息，2008，(34).[5]吴明明，周兆忠，巫少龙。
光伏材料技术制备这个专业（专科）就业前景怎么样，毕业后就业平台及 本专业培养德智体美全面发展，能适应我国现代化建设需要，紧密结合国家新能源战略，重点发展新能源，重点建设专业，校企共建专业。具有诚信品质、敬业精神和责任意识，具备。
单晶的单晶制备方法 单晶生长制备方法大致可以分为气相生长、溶液生长、水热生长、熔盐法、熔体法。最常见的技术有提拉法、坩埚下降法、区熔法、定向凝固法等；目前除了众多的实际工程应用方法外，借助于计算机和数值计算方法的发展，也诞生了不同的晶体生长数值模拟方法。特别是生产前期的分析和优化大直径单晶时，数值计算尤为重要。一、挥发法原理：依靠溶液的不断挥发，使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态。条件：固体能溶解于较易挥发的有机溶剂理论上，所有溶剂都可以，但一般选择60～120℃。注意：不同溶剂可能培养出的单晶结构不同方法：将固体溶解于所选有机溶剂，有时可采用加热的办法使固体完全溶解，冷却至室温或者再加溶剂使之不饱和，过滤，封口，静置培养。二、扩散法原理：利用二种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂。固体易溶于高沸点的溶剂，难溶或不溶于低沸点溶剂。在密封容器中，使低沸点溶剂挥发进入高沸点溶剂中，降低固体的溶解度，从而析出晶核，生长成单晶。液体等。一般选难挥发的溶剂，如DMF，DMSO，甘油甚至离子。条件：固体在难挥发的溶剂中溶解度较大或者很大，在易挥发溶剂中不溶或难溶。经验：固体在难挥发溶剂中溶解度越大越好。培养时，固体在高沸点。
什么是单晶材料？ 1、单晶材料是指材料整体为一个晶核长大，最后形成单一晶体的材料。2、单晶材料不存在晶粒大小问题，也没有晶界。
如何选择单晶材料的制备方法 通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物(如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。主要是二元化合物如：砷化镓、磷化铟、硫化镉、碲化铋、氧化亚铜等，其次是二元和多元化合物，如镓铝砷、铟镓砷磷、磷砷化镓、硒铟化铜及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔体生长单晶的一种方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制备化合物半导体单晶，用外延法、化学气相沉积法等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。用于制备光电子器件、超高速微电子器件和微波器件等方面。
