半导体中，空穴移动的本质是电子的移动，为什么空穴迁移率和电子迁移率不同，而且要小不少？
掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 在掺在浓度较低时，电子迁移率随温度的升高迅速减小，此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加，迁移率下降趋势就不太显著，说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候，在低温范围，随温度的升高，电子迁移率反而.
为什么半导体中的迁移率比金属高？ 李青影的回答-知乎 https：//www.zhihu.com/question/5258 2069/answer/642369251 ？ 7 ？ ？ 添加评论 2 人赞同了该回答 首先这个问题本身就不太准确，半导体迁移率有。
载流子迁移率的单位是什么 c㎡/v·s，载流子迁移率在5261固体物理学中用4102于指代半导体内部电子和空穴整体的运动1653快慢。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。扩展资料：迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究。迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比。参考资料来源：-载流子迁移率
在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间，即外电场下自由加速的时间
si，ge，gaas，gan，sic等半导体材料的禁带宽度和电子迁移率各是多少 ^禁带宽度2113：52611.12，0.66，1.42，3.44 6H-SiC：3，4H-SiC：3.25，3C-SiC：2.3(eV)电子迁移率4102：1350，3800，8000，2000，3000左右(cm^16532/(V·s))
半导体中，空穴移动的本质是电子的移动，为什么空穴迁移率和电子迁移率不同，而且要小不少？ 空穴相对电子质量要大，且叫稳定，所以迁移率小得多。不介意同行来回答你这个问题吧？(权当站在技术立场上讨论)母线槽每平方毫米载流能力是与铜导体的纯度、导电率，以及。
