什么叫刷新，为什么要刷新，刷新有几种方法？ 动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构排列成 256×256 形式，存取周期为 0.1 μ s。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？解：采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1 μ s=25.6 μ s采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1 μ s+×0.1 μ s）=51.2 μ s采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms解析：(1).设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。假设刷新1行的时间为0.1μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。（256×256个单元×1B/单元=2^16个单元×1B/单元=64KB内存<；=>；8K*8）。集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.1μs×256对256行依次刷新。这将占用25.6μs。在这25.6μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。补充一点给楼主：为什么刷新与。
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计算机组成原理 集中式刷新 死时间 正常读写之后，集中式刷新存在一段停止读/写操作的死时间（分散式刷新时，读写操作同步）。死时间计算方法：行数x刷新每行的时间
动态储存与静态储存有什么不？集中，分散，异步三种刷新方式如何安排刷新周期？
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？ 一、刷新方式不同1、集中刷新：指在规定的一个刷新周期内，对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新。2、分散刷新：指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。3、异步刷新：指不规定一个固定的刷新周期，将每一行分来来看，只要在2ms内对这一行刷新一遍就行。二、刷新时间不同1、集中刷新：集中刷新共需0.5*64=32us（占64个存取周期），在这段时间内存只用来刷新，阻塞一切存取操作，其余3968个存取周期用来读/写或维持信息。2、分散刷新：刷新周期为：64*1us=64us。
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少
一个8K*8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256*256形式，存取周期为0.1us，试问集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？ 你没问错吗 全都是刷新间隔？默认刷新周期2ms集中式刷新时间：0.1us*256 读写：2ms-0.1us*256分散式总刷新时间：256*0.2 实际刷新时间（不包含读写）：0.1us*256异步两次刷新间隔：2ms/256 单次刷新时间0.1us
什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。 共3 结合题可以更好地去理解，如果不是为了理解，是为了copy答案的话，你把后面解析抄上就行.和标答不一样，也有辨识度。一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构。
