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高边mos驱动为什么要自举电容 用IR2110全桥驱动MOS管,自举电容为1UF+1UF打独石电容,二极管采用快恢复二极管。管子加

2020-10-01知识29

什么是自举电容? 1,自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性,当电容两端保持有一定电压时,提高电容负端电压,正端电压仍保持于负端的原始压差,等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容,用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。2,自举电路也叫升压电路,利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。3,原理举个简单的例子:有一个12V的电路,电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压,这个电压怎么弄出来?就是用自举。通常用一个电容和一个二极管,电容存储电荷,二极管防止电流倒灌,频率较高的时候,自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压,起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称,在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半,但在实际的测试中,输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。常用自举电路(摘自fairchild,使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的。

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N MOS管做高端可以这样驱动吗(有图)有的人要自举电容啥,我觉得如图就可以了,不必这么麻烦吧

高边mos驱动为什么要自举电容 用IR2110全桥驱动MOS管,自举电容为1UF+1UF打独石电容,二极管采用快恢复二极管。管子加

用IR2110全桥驱动MOS管,自举电容为1UF+1UF打独石电容,二极管采用快恢复二极管。管子加 aa需要吸收电路。阻尼这个震荡。主要原因来自主回路上的分布电容、电感。一般资料上都有介绍,可参考。在没解决前慎重加高电压。

高边mos驱动为什么要自举电容 用IR2110全桥驱动MOS管,自举电容为1UF+1UF打独石电容,二极管采用快恢复二极管。管子加

请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗? 主要看Vgs电压,要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路,自举电路只是在单电源供电时,高侧Vgs打不到控制要求而做的,当使用隔离电源控制就不需要自举。

模拟电路中高边 低边是什么?高边驱动,低边驱动又是什么?谢谢。请稍微详细些。 高边驱动:形象点说,2113像在电路的电源5261端加了一个可控开关。高边驱动4102就是控制这个开1653关开关。低边驱动:形象点说,像在电路的接地端加了一个可控开关。低边驱动就是控制这个开关开关。两者的区别是低边驱动比较容易实现,而且电路也比较简单,一般的MOS管加几个电阻、电容就可以了。但是高边则不然,需要让GS保持一定的压降,以确保稳定、连续的开关。这时需要一个自举电容。理解这个最好的例子莫过于H桥了,你可以搜一下。多用于电机驱动。像常用在汽车上的芯片低边有L9825等,高边的也很多网上搜一搜。选择这些芯片要考虑其开关速度、过流能力、耐压能力、以及散热等因素。

什么是自举电容? 1,自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性,当电容两端保持有一定电压时,提高电容负端电压,正端电压仍保持于负端的原始压差,等于正端的电压被负端举起来了。。

用IR2110全桥驱动MOS管,自举电容为1UF+1UF打独石电容,二极管采用快恢复二极管。管子加上15V的电压;'>;三六零问答空载情况下测量输出的波形,波形如下,可以看到有15V左右。

用IR2110全桥驱动MOS管,自举电容为1UF+1UF打独石电容,二极管采用快恢复二极管。管子加上15V的电压 需要吸收电路。阻尼这个震荡。主要原因来自主回路上的分布电容、电感。一般资料上都有介绍,可参考。在没解决前慎重加高电压。

什么是低边驱动,什么是高边驱动? 高边是电源,低边是地,高边驱动 和低边是用来调试功率的 这样就可以驱动你想要驱动的东西 高边驱动:形象点说,像在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动就是控制这个。

请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗? 不一定,主要看Vgs电压,要是高侧mos的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路,自举电路只是在单电源供电时,高侧Vgs打不到控制要求而做的,当使用隔离电源控制就不需要自举。自举电路也叫升压电路,利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

#驱动电路#模拟电路#升压电路#电源

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