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背散射电子成像影响因素 背散射电子衍射取向成像技术有哪些方面的应用

2020-10-01知识11

利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。

背散射电子成像影响因素 背散射电子衍射取向成像技术有哪些方面的应用

二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 二次电子2113和背散射电子成像的区别都有哪些特点及5261应用:二次电子4102像具有分辨率高、景深大;立体感强的特1653点,F≈d0/β主要用于反映样品表面形貌。背散射电子像具有分辩率低、背散射电子检测效率低,衬度小的特点,主要用于反映原子序数衬度。

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背散射电子衍射取向成像技术有哪些方面的应用 电子衍射和X射线衍射一样,可以用来作物相鉴定、测定晶体取向和原子位置。由于电子衍射强度远强于X射线,电子又极易为物体所吸收,因而电子衍射适合于研究薄膜、大块物体的。

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二次电子像和背散射电子像的区别 背散2113射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的5261,所以原子序4102数大的原子越大,弹性碰撞的概率越1653大,所以原子序数大的背散射电子强度的大;二次电子是从样品表面发射的电子,跟原子序数没关系,跟样品的表面形态有关,因为撞击角度90度是二次电子基

#电子#背散射电子#二次电子

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