晶体管工作在放大区时，集电结处于（）。A、正向偏置 B、反向偏置 C、正偏或反偏 D
晶体管工作在放大区时 发射结反向偏置么
怎样简单分辨晶体管工作时是截止区、放大区还是饱和区？？ 看Ube就行，和0.7V比NPN型三极管要截止的电压条件是发射结电压Ube小于0.7V 即Ub-UePNP型三极管要截止的电压条件是发射结电压Ueb小于0.7V 即Ue-UbNPN三极管要满足放大的电压条件是发射极加正向电压，集电极加反向电压：Ube=0.7V即Ub-Ue=0.7VPNP三极管要满足放大的电压条件是发射极加正向电压，集电极加反向电压：Ueb=0.7V即Ue-Ub=0.7VNPN型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压：Ube>；0.7V即Ub-Ue>；0.7VPNP型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压：Ueb>；0.7V即Ue-Ub>；0.7V
晶体管工作在放大区时 发射结反向偏置么 晶体管工作在放大区的工作要求是：发射结正偏，集电结反偏
晶体管工作在放大状态的外部条件是_____ 三极管工作放大状态的条件2113是：发射结正偏，集5261电结反偏。4102放大原理1、发射1653区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
三极管为什么放大信号后输出会反相 三极管放大信号如果是发射极输出就没有反向，三极管 放大信号后输出会反相是共发射极放大电路，因为基极信号的变化引起集电极电流的变化，对NPN管子基极电压高，集电极电流。
晶体管具有放大作用，其外部条件和内部条件各为什么 内部条件基区：较薄，掺杂浓度低.发射区：掺杂浓度高（多子载流子浓度高）.集电区：面积较大（利于少子漂移）.外部条件发射结加正向偏置电压，使其正向导通.集电结加反向偏置电压，使其反向截止.
在差动放大电路中晶体管两端电压相反，一端是反向偏置了，还能工作吗？
