半导体材料的导带有效状态密度是不是定值？ 首先n0和p0是电子浓度和空穴浓度，不是数目。浓度可以相加吗？由n0p0=NcNvexp(-Eg/kT)可知，影响n0p0乘积的因素一个是温度T，一个是禁带宽度Eg。在一定温度下，因为不同半导体材料的禁带宽度Eg是不同，所以n0p0的值也是不同的。肯定不会是定值。对于热平衡状态的半导体，材料中不存在非平衡载流子（这算废话），只有非平衡载流子才是电子空穴同时产生的。热平衡状态的半导体由本征的也有掺杂的，比如对于n型半导体，费米能级在禁带中线以上，更靠近导带，电子浓度＞空穴浓度，并不是一个电子一个空穴以上。多说一句，半导体物理的学习是以固体物理中晶体结构和能带结构的学习为基础的，可以先了解一下，弄清概念。另外，半导体的只是是连贯的，不适合拆开单学。建议参考教材刘恩科《半导体物理》，建议参考在线视频课程半导体物理 全 蒋玉龙_哔哩哔哩(゜-゜)つロ 干杯~-bilibili
空气密度与温度关系对照表 由理想气体状态方程(也称理想气体定律、克拉佩龙方程)pV=nRT可以算出来 下表给出部分计算结果(气压为一个标准大气压，温度的单位是摄氏度，空气密度的单位是kg/m^3，一律。
气体在不同压力和温度下的密度怎么计算？ 用气体方程pV=nRT，式中p为压强，2113V为体积，n为摩尔5261数，R为常量，4102T为绝对温度。而n=M/Mmol，M为质量，Mmol为摩尔1653质量。所以pV=MRT/Mmol而密度ρ=M/V所以ρ=pMmol/RT，所以，只要知道了压强、摩尔质量、绝对温度就可以算出气体密度。扩展资料：气体体积流量系指单位时间输送管道中流过的气体体积。气体体积有工作状态下体积和标准状态下体积之分，它们都是指在某个压力和某个温度情况下的体积，后者是指压力为一个标准大气压、温度为0℃(或20℃)时的气体体积。标准状态温度多数指0℃，仅在某些场合，例如鼓风机的流量，因多指风机的入口状态，所以标准状态温度采用的是20℃。由于使用工作状态流量参数时，需说明相应的工作温度和压力，这样比较麻烦，并且在人们的脑海中不容易建立一个量的概念，因此，在工程中常使用标准状态流量作为测量标准。对于不作为计量用的气体流量测量，如果已获得温度、压力信号，也应该考虑温度和压力修正。因为当今的或作为二次仪表使用的各种计算机系统(dcs，plc，ipc等)都具有温度和压力修正功能，已无需像以前老式仪表那样搭接一个复杂的能满足功能要求的仪表硬件系统。对于常温、常压下的气体，也就是说，温度为30~40℃，压力为10 kpa。
什么是有效状态密度？
物体的温度与密度有关系吗？ 应该是密度与温度有关 不过可能不是与导热有关，可能是与热胀冷缩有关 有想法很好 加油。好运。
这句话是对是错，为什么？ 水在4℃时密度最大，而高于或低于4℃时，密度都随之减小。水的这种反常现象，一般有下列两种解释。1．在0℃的水中仍保留一些非常微小的同冰的疏松结构相似的缔合分子（由。
怎么计算密度 用气体方程pV=nRT，式中p为压强，V为体积，n为摩尔数，R为常量，T为绝对温度。而n=M/Mmol，M为质量，Mmol为摩尔质量。所以pV=MRT/Mmol而密度ρ=M/V所以ρ=pMmol/RT，所以，只要知道了压强、摩尔质量、绝对温度就可以算出气体密度。
以Si为例，说明导带底状态密度有效质量mdn与导带有效状态密度Nc的意义和区别. 对于非简并的n型半导体，如果把导带中的所有可能被电子占据的能级都归并到导带底（Ec）这一条能量水平线上（设归并到一起的能级的密度为Nc），那么电子占据各条能级的几率就都将一样（等于exp[－(Ec－Ef)/(kT)]），于是就可直接写出导带电子的浓度与Fermi能级的关系为no=Nc exp[-(Ec-Ef)/kT].当然，这时归并到导带底的有可能被占据的能级的密度（Nc）必然不等于整个导带的能级密度，则称Nc为导带的有效能级密度（或者有效状态密度）.因为温度越高，电子的能量就越大，则在导带中有可能占据的能级数目就越多，故有效能级密度与温度T有关；仔细的分析可给出为Nc=2(2πm*kT/h2)3/2，式中的h是Planck常数，m*是电子的所谓状态密度有效质量，T是绝对温度.在室温下，对于Si，Nc=2.8×1019cm–3；对于GaAs，Nc=4.7×1017cm–3.可见，Nc比晶体的原子密度（5×1022 cm–3）要小得多.这就表明，在非简并情况下，载流子只是占据导带中的很少一部分能级（这时电子基本上就处在导带底附近）.
半导体材料的导带有效状态密度是不是定值 根据公式Nc=2*（2*pi*mkT）^(3/2)/h3，（其中m为有效质量），在同种载流子的情况下（m相同），故仅与温度的3/2次方成正比。
导带的有效状态密度是常数 ？ 仅与状态有关的函数 如温度，压力，能量等
