绝缘栅双极型晶体管是以什么作为栅极的 绝缘栅双极型晶体管就是我们通常所说的IGBT，它的基本原理是由一个MOS管和一个晶体管构成的复合管。控制原理是控制MOS管的栅极，再由MOS管控制晶体管的通断。这里是利用了MOS管的高阻抗输入电压（电场）控制特性和晶体管的大电流特性。因为它的栅极实际上就是内部MOS管的栅极。
绝缘栅双极晶体管的简介 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO－3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD（FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率。
绝缘栅双极晶体管有哪些特点？ 绝缘栅双极晶体管又简称为IGBT，它的特点就是把MOS栅极控制的优点和双极型晶体管的大电流长处综合起来了。。详见“http：//blog.163.com/xmx028@126/”中有关IGBT的说明。
双极晶体管、晶闸管、绝缘栅双极晶体管、场效应管元件的图形符号 二极管不可控；晶闸管、门极可关断晶闸管属于半控器件；剩下的电力晶体管、电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于全控器件。电力二极管属于单极型器件，电力晶体管属于双极。
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绝缘栅双极晶体管属于什么控制元件？电流还是电压？？？ 参见“2113http：//blog.163.com/xmx028@126/”中\"晶体5261管的4102名称属性—IGBT和1653MCT。
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什么是IGBT？它的作用是什么？ IGBT是英文单2113词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体5261管。从功能上来4102说，IGBT就是1653一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的。
