为什么硅的半导体性能能制成芯片和光电池。就是半导体为什么能制成芯片和半导体。实质 芯片就是IC，泛指所有的电子元器件，是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。由于硅的半导体可以制成由于半导体可以进行不同掺杂形成pn结，使其具有整流特性实现电路的与或非门，即逻辑表达。对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成电路工作的。拿cmos工艺来讲，N沟道mos的p型衬底都是连在一起的，都是同一个衬底。集成电路是一些电子元器件加连线构成，它通过加反偏和其他的技术来实现隔离（如器件二极管、三极管、场效应管）。光电池就是利用半导体的光敏特性，在光照下，价带的电子会跃迁到导带，吸收大部分的太阳光，产生非平衡载流子，在pn结内建电场的作用下，形成了由n到p的光电流（参看光生伏特效应）这样就实现了太阳能转化为电能。（目前量产的单晶硅电池转换效率在17%左右，多晶硅电池转换效率在16%左右，而薄膜电池量产的转换效率为10%左右。能力有限希望你能满意。
为何选硅做半导体材料？多角度分析。 （1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件-发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样。
什么是半导体？
所有的硅单质都可以作为半导体材料吗？
为什么半导体硅是面接触，锗是点接触 【半导体硅是面接触，锗是点接触】还真是这样。为什么？与电气特性和用途有关。二极管按连接结构类型分为：点接触型二极管的结面积小、电容小，适用于高频、小电流的整流、检波、混频电路等。一般锗二极管就是这样。面接触型二极管的结面积大、结电容大，一般工作于低频电路下。硅平面型二极管的结面积大，通过的电流也大。后两种多是硅二极管。由锗、硅两种二极管的特性曲线可以看出：1、锗二极管正向在0.1V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快；以上两点也可以总结为，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。所以用电池的收音机用锗管省电。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
晶体态硅是半导体吗？
硅是半导体，为什么书上说他是非导电物质 本征单晶硅的导电性很差，可以说是非导电物质。硅的半导体特性要在掺杂以后才能得到充分体现。我们现在研究的半导体硅，都是建立在其掺杂以后.这也是硅半导体与其他一些仅仅是\"半导电体\"的区别所在。
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体 是为了实现人工控制其导电性能。制成本征半导体之后，再用渗透的方法加入三价或者五价元素，通过控制加的浓度，来达到人工控制其导电性能的目的。
