背散射电子衍射取向成像技术有哪些方面的应用 电子衍射和X射线衍射一样，可以用来作物相鉴定、测定晶体取向和原子位置。
电子衍射分析 电子束不是电磁波，而是物质波，但是它与X射线的性质类似，波长接近。1927年C.J.Davisson＆L.H.Germer在电子显微镜问世前就发现了电子衍射现象，其原理与X射线衍射的原理基本相同，所获得的衍射花样也很相似。电子衍射产生的花样大多呈规则排列的点状（单晶），有时也呈同心圆状（多晶）。电子衍射与X射线衍射的区别是：①由于电子束波长更短，在同一张图像上电子衍射所得到的信息比X射线衍射的信息多；②电子衍射的强度要比X射线衍射的强度大得多，适用于对晶体微粒、表面和薄膜进行分析。现在，在透射电镜中插入一选区光阑便能获得单晶的衍射花样（请参阅本章第二节）。电子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction，缩写为EBSD）是20世纪70年代提出，80年代发展成为一种实用的测试手段，并推出商品器材的。电子背散射衍射得到的图像称为电子背散射花样（Electron Backscatter Pattern，缩写为EBSP）。上述X射线衍射以及电子衍射的激发源都是平行光，而电子背散射衍射是电子束进入样品后激发出的背散射电子以各个方向射向晶体后产生的。其花样由黑白成对的线条组成，如图5-9中荧光屏上所示，每个线条对应于一个面网。图5-9 电子背散射衍射部件示意图为了。
电子衍射的种类 二维晶体点阵如果我们把晶体结构分析局限于表面原子层，可以发现表层原子排列的规则不一定保持其内部三维点阵的连续性，即未必与内部平行的原子面相同（见晶体表面）。为了用电子衍射方法研究这种表层的二维结构，必须满足以下两个条件：①入射束波长足够短，根据二维点阵衍射的布喇格方程，波长应小于点阵周期；②电子束的穿透和逸出深度限于表面几个原子层。最能满足上述要求的是利用低能（50～500eV）电子束和掠射角接近于零的高能（30～50keV）电子束作为表层结构分析的微探针，分别称为低能电子衍射（lowenergyelectrondiffraction）和反射式高能电子衍射(reflectedhighenergyelectrondiffraction）。低能电子衍射电子衍射一束低能量电子平行地入射样品表面，在全部背向散射的电子中，约有1%为弹性背散射电子（能量与入射电子相同）。由于表面原子排列的点阵特性，这种电子的弹性相干散射将在接收阳极的荧光屏上显示规则的斑点花样。为了检测低能电子的微弱信号，通常采用所谓后加速（post-acceleration）技术，由样品表面背散射的电子在穿过和样品同电位的栅极G1以后，才受到处于高电位的接收阳极的加速，并撞击到荧光屏上产生可供观察或记录的衍射斑点。。
有哪几种电子衍射，说明各自的操作特点和基本应用 1）电子显微镜中主要有SAED选区电袭子衍射、μ-衍射、纳米衍射、CBED会聚束衍射、EBSD背散射电子衍射五种电子衍射。2）操作特点：①SAED选区电子衍射采用TEM模式，利用μ级平行入射电子束照射试样，通过物镜像平面处的选区光阑选取特定区域做电子衍射，得到与选择区域对应的电子衍射花样。②μbai-衍射采用STEM模式，利用μ级针du状入射电子束照射试样的固定区域，无需光阑选择成像区域，因此不存在选区衍射误差。③纳米衍射与μ-衍射类似，主要差别在于纳米衍射的入射zhi电子束为纳米级，体积更细小，因此能够对试样的更微小区域进行分析。④CBED会聚束衍射采用STEM模式，入射束由平行束变为锥状会聚束，并且后焦面处得到扩展的衍射斑点（圆盘状），盘的大小与入射束的会聚角有关。因此伴随着会聚角的变化，能够获得散射电dao子的信息，实验过程中要避免透射盘与衍射盘相交。⑤EBSD背散射电子衍射是入射束打到试样上形成的背散射电子发生衍射，形成衍射锥，最终获得EBSD衍射花样。
背散射电子的概述 背散射电子（back scattered electron）当电子束照射样品时，入射电子在样品内遭到衍射时，会改变方向，甚至损失一部分能量（在非弹性散射的情况下）。在这种弹性和非弹性散射的过程中，有些入射电子累积散射角超过90度，并将重新从样品表面逸出。那么背散射电子就是由样品反射出来的初次电子，其主要特点是：能量很高，有相当部分接近入射电子能量 E 0，在试样中产生的范围大，像的分辨率低。背散射电子发射系数 η=I B/I 0 随原子序数增大而增大。作用体积随入射束能量增加而增大，但发射系数变化不大。
透射电镜在材料表征中有哪些作用 早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜。
