硅片电阻率对什么有影响 硅片电阻的不同，表示其杂质浓度或缺陷多少，或硅片所处环境的温度、光照的不同.这样的话.对由其所做的任何器件（参数）都会有影响.
硅片电阻率多少比较合适，过大或过小有什么坏处 单从硅片的使用来说，电阻率越大越好，因为这时硅片纯度较高（排除反型掺杂）。从制造成本来说，硅片纯度越高，则工艺过程成本越高。所以用硅片制造不同的器件，用相应电阻率的硅片即可。（过小会影响器件性能）
薄膜光伏，单晶硅，多晶硅有什么区别？利弊？ 单晶硅Cz-Si太阳电池：单晶硅太阳电池的基本结构多为n+/p型，一般以P型单晶硅片为基片，其电阻率范围一般…
硅片电阻率对什么有影响 硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序对硅片进行升温、降温的过程；为什么要进行退火？原因之一是，硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用。退火时可以将硅片表面附近的氧，从其表面挥发脱除，使表面附近的杂质数量减少。有利于器件的制造；退火对电阻率和少子寿命有一定的影响：使其升高。供参考。另：如果事实同“问题补充”的一样，可以理解为：氧从表面脱除后，表面附近的杂质数量减少，缺陷也减少，使载流子的平均自由程增加，迁移率也增加，这样导致了电阻率的下降。
物理学 多晶硅电阻率为什么比单晶硅的电阻率高 这个跟站队一样的，单晶硅站的最整齐，多晶硅有些混。所以单晶硅效率高，电阻率就小。
P型和N型单晶硅片的区别？ N型是电子导电，P型是空穴导电。单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
硅片电阻率多少比较合适，过大或过小有什 1.一般硅片是P形硅片，标准是1-3Ω*cm2.电阻率过大说明硅片掺杂偏少，或者硅片基体含有补偿性杂质，如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低，短路电流Isc高，转换效率Eta不好说；后者不仅开压低而且短路电流低，转换效率一定低。3.电阻率过小说明硅片掺杂B偏多，或者硅片基体含有金属杂质偏多，如铁、铝等。前者导致开压Voc高，短路电流Isc低，转换效率Eta不好说；后者形成深能级杂质，导致不仅开压低且短路电流低且填充因子低，转换效率一定低。
单晶硅太阳能 温度高 效率会低 为什么？ 单晶硅硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。多晶硅多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。(1)单晶。
