直接带隙和间接带隙的能带宽度有区别么 当然有区别了 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和。
能带图里的带隙与态密度图里的带隙大小不同怎么办 大家都知道LDA和GGA在计算的时候会低估带隙，正常的硅禁带宽度是1.12ev，我算出来的是0.59ev，请问这对分析能带结构会带来影响么，或者本身这就是错误的不能拿来分析？。
禁带宽度与bandgap（能带隙）什么区别？ 1、半导体的禁带宽度一般是在3eV以下，电子易获得能量从满带跃迁到空带，电导增大；而绝缘体一般是5eV以…
