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耐压200V的锗晶体管 请说下三极管中硅管和锗管的区别

2020-09-30知识7

二极管1N4007各字母数字代表什么意思 型号中的“1”,表示其是具有一个PN结的半导体器件(即二极管);字母“N”为美国EIA(电子工业协会)注册登记标志,带有该字母的二极管,表明其已在美国EIA注册登记;。

耐压200V的锗晶体管 请说下三极管中硅管和锗管的区别

这个怎么看出晶体管是硅还是锗?

耐压200V的锗晶体管 请说下三极管中硅管和锗管的区别

三极管A940耐压值和参数是多少 三极管 A940(双极性晶体管).它的主要参数如下: 材料:Si 晶体管极性:PNP 最大耗散功率(Pc):25 集电极-基极 击穿电压(Ucb):150 集电极-发射极 击穿电压(Uce):150 。

耐压200V的锗晶体管 请说下三极管中硅管和锗管的区别

80nf70的耐压是多少 场效应管STP80NF70参数:TO-220,ST,DIP/MOS,N场,68V,98A,0.0098Ω,最大耐压68V。场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。按沟道材料型。

耐压400v以上的晶体管输出光耦型号 如果耐压350V能接收的话,那么TLP188就可以。工作温度范围:-55 至 110°C集电极—发射极电压:350V(最小值)隔离电压:3750Vrms(最小值)电流传输比:50%(最小值)(当IF=5mA,VCE=5V,Ta=25°C时)

如何选择晶体管的耐压 1、比较保守的设计,晶体管耐压比实际使用电压高一倍足够了。2、感性负载所产生的反压,如继电器线圈等,一定要接上二极管吸收反向电压。

三极管型号IRF740B可以用什么代替? 三极管IRF740属于N沟道场效应晶体管,也叫MOS管。该管主要参数为:额定电压400V,额定电流10A。如果不能找到原型号的管子,可以根据需要,临时用IRF840替代。IRF840的主要参数为:额定电压500V,额定电流8A。

请说下三极管中硅管和锗管的区别 现在已经没有锗管了,一律是硅管了。这个问题,现在还问,没有什么意义了,估计是老教材上的课后题吧,太OUT了。三极管是有两个PN结的,就一个PN结而言,锗管的PN结正向压降低,只有0.3V,而硅管是0.7V。反向耐压锗管很低,所以,容易反向击穿。因此,锗管的穿透电流就比较大,在放大电路中会产生噪声,容易损坏。所以,只是在70年代以前才生产锗管的。

场效应管10n60参数是多少?10N60:N沟道MOSFET功率,10A 600V。10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管。。

电磁炉中的IGBT,H20R1202和H20R1203的区别是什么?

#场效应管#三极管

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