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二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 扫描电镜二次电子与背散射电子

2020-09-30知识17

扫描电镜成像时接收的电子信号主要有哪些 入射电子束射入样品表面,2113扩散5261成一个水滴状,从上至下激发出的信号4102有:1、俄歇电1653子,深度埃米级别:能量很弱,扫描电镜探测器不能采集,有专门的俄歇电镜和俄歇能谱仪;2、二次电子,深度亚微米到5μm级别:二次电子又分SE1和SE2,分别被电镜不同二次电子探测器接收,形成形貌像;3、阴极荧光、连续X射线:扫描电镜探测器不能采集;4、背散射电子:扫描电镜背散射探头采集,可形成元素成分分布像和元素成分+形貌像;5、特征X射线:扫描电镜能谱仪接收,形成元素成分分布像和元素含量分布结果;6、吸收电子:吸收了,没有然后;7、透射电子:亚微米到微米级别厚度的样品可能透过样品产生透射电子,需要借助透射电镜采集,形成透射电镜像或者能谱结果。

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台式扫描电镜,只配置一个背散射电子探测器,如日立TM-3000,复纳 Phenom? G2 ,有什么不好吗?

二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 扫描电镜二次电子与背散射电子

扫描电镜背散射电子图像怎么分析 第一、扫描电镜照片是灰度图像,分为二次电子像和背散射电子像,主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌,基本和自然光反映的形貌一致,特殊情况需要对比分析。背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况,越亮的区域,原子序数越高。第二、看表面形貌,电子成像,亮的区域高,暗的区域低。非常薄的薄膜,背散射电子会造成假像。导电性差时,电子积聚也会造成假像。

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扫描电镜背散射电子产额受什么影响 影响不大如果你对这个答案有什么疑问,请追问,另外如果你觉得我的回答对你有所帮助,请千万别忘记采纳哟!

SEM二次电子成像和背散射电子成像 最低0.27元开通文库会员,查看完整内容>;原发布者:柏华玉扫描电镜二次电子及背散射电子成像技术扫描电镜成像主要是利用样品表面的微区特征,如形貌、原子序数、化学成分、晶体结构或位向等差异,在电子束作用下产生不同强度的物理信号,使阴极射线管荧光屏上不同的区域呈现出不同的亮度,从而获得具有一定衬度的图像,常用的包括主要由二次电子(SE,secondary electron)信号所形成的形貌衬度像和由背散射电子(BSE,backscattered electron)信号所形成的原子序数衬度像。1.二次电子(SE)像—形貌衬度二次电子是被入射电子轰击出的原子的核外电子,其主要特点是:(1)能量小于 50eV,在固体样品中的平均自由程只有10~100nm,在这样浅的表层里,入射电子与样品原子只发出有限次数的散射,因此基本上未向侧向扩散;(2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a,a大的面发射的二次电子多,反之则少。根据上述特点,二次电子像主要是反映样品表面10 nm左右的形貌特征,像的衬度是形貌衬度,衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。如果样品表面光滑平整(无形貌特征),则不形成衬度;而对于表面有一定形貌的样品,其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面。

利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 1、分辨率不同二次电子的分辨率高,因而可以得到层次清晰,细节清楚的图像,被散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的,成像单元较大,因而分辨率较二次电子像低。2、运动轨迹不同(1)被散射电子以直线逸出,因而样品背部的电子无法被检测到,成一片阴影,衬度较大,无法分析细节,但可以用来显示原子序数衬度,进行定性成分分析。二次电子对试样表面状态非常敏感,能有效地显示试样表面的微观形貌。(2)利用二次电子作形貌分析时,可以利用在检测器收集光栅上加上正电压来吸收较低能量的二次电子,使样品背部及凹坑等处逸出的电子以弧线状运动轨迹被吸收,因而使图像层次增加,细节清晰。3、能量不同(1)二次电子是指当入射电子和样品中原子的价电子发生非弹性散射作用时会损失其部分能量(约 30~50 电子伏特),这部分能量激发核外电子脱离原子,能量大于材料逸出功的价电子可从样品表面逸出,变成真空中的自由电子。(2)被散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子。既包括与样品中原子核作用而形成的弹性背散射电子,又包括与样品中核外电子作用而形成的非弹性散射电子,所以被散射电子能量较高。扩展资料:应用范围⑴生物:。

二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点

二次电子和背散射电子成像的区别都有哪些 二次电子2113和背散射电子成像的区别都有哪些特点及5261应用:二次电子4102像具有分辨率高、景深大;立体感强的特1653点,F≈d0/β主要用于反映样品表面形貌。背散射电子像具有分辩率低、背散射电子检测效率低,衬度小的特点,主要用于反映原子序数衬度。

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