准备读研，导师是做半导体光电子器件方向，有人了解吗？ 准备读研，微电子方向，导师是做光电子器件方向，主要研究光电激光方向的，坐标西安，不是很了解这方面的…
求晶体三极管的特性与应用？？ 【晶体管分类】按半导体材料和极性分类按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅。
异质结双极型晶体管的简介 异质结双极型晶体管（Heterojunction bipolar transistor，HBT）是在双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT)的基础上，只是把发射区改用宽带隙的半导体材料，即同质的发射结采用了异质结来代替。由于异质结能带的不连续性（带隙的能量差ΔEg=价带顶能量突变ΔEv+导带底能量突变ΔEc），对n-p-n BJT，较大的ΔEv对于基区往发射区注入的空穴有阻挡作用，则宽带隙发射区异质结的注射效率接近1（即只有电子从发射区注入到基区），并且注射效率与发射区和基区的掺杂浓度无关。HBT的最大优点就在于发射结的注射效率(放大系数)基本上与发射结两边的掺杂浓度无关，从而可把基区的掺杂浓度做得很高(甚至比发射区的还高)，这就可以在保证放大系数很大的前提下来提高频率，从而能进入毫米波段。现在HBT是能够工作在超高频和超高速的一种重要的有源器件。HBT的最大电流增益可表示为(不考虑基区复合)βmax=IEn/IEp∝exp[ΔEg/kT]，则HBT与一般BJT的最大电流增益之比完全由带隙的能量差来决定：βmax(HBT)/βmax(BJT)=exp[ΔEg/kT]。通常取ΔEg>；250 meV，则HBT的增益可比BJT的提高10的4次方倍。对于一般的BJT，为了进一步提高频率和速度，就要求减小基极电阻、减小发射结电容。
双极性晶体管的结构 一个双极性晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成，它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域。这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体，而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出，通常用字母E、B和C来表示发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。基极的物理位置在发射极和集电极之间，它由轻掺杂、高电阻率的材料制成。集电极包围着基极区域，由于集电结反向偏置，电子很难从这里被注入到基极区域，这样就造成共基极电流增益约等于1，而共射极电流增益取得较大的数值。从右边这个典型NPN型双极性晶体管的截面简图可以看出，集电结的面积大于发射结。此外，发射极具有相当高的掺杂浓度。在通常情况下，双极性晶体管的几个区域在物理性质、几何尺寸上并不对称。假设连接在电路中的晶体管位于正向放大7a686964616fe59b9ee7ad9431333361303063区，如果此时将晶体管集电极和发射极在电路中的连接互换，将使晶体管离开正向放大区，进入反向工作区。晶体管的内部结构决定了它适合在正向放大区工作，所以反向工作区的共基极电流增益和共射极电流增益比晶体管位于正向放大区时小得多。这种功能上的。
hbt是什么意思？ 异质结双极晶体管，高速器件用工艺。有关半导体的名词
HBT的工艺原理是什么？ 以及HBT在超高速电路设计中的优势 ？ Logan 谢邀。HBT：heterojunction bipolar transistor，异质结双极型晶体管。其原理是因为不同的半导体材质，其能带结构不一样，两者。
异质结双极型晶体管的介绍 发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgE大于基区材料的禁带宽度EgB。
PN结的应用 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，。
异质结双极型晶体管的主要优点 HBT具有以下优点：①基区可以高掺杂(可高达1020/cm3)，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小(则不限制器件尺寸的缩小)；②因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高；③基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大；④基区电荷对C结电压不敏感，则Early电压得以提高；⑤发射区可以低掺杂(如1017/cm3)，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率fT提高；⑥可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有内建电场，从而载流子渡越基区的时间τB得以减短。总之，HBT的高频、高速性能以及大功率等性能都较优良。它与HEMT一起都是重要的毫米波有源器件以及毫米波IC的基础器件。
