小于10nm的SiO2薄膜厚度怎样准确测量？ 这两家都是自动膜厚测量设备，适用于8寸和12寸硅片。KLA-Tencor膜厚设备集成了宽波长段(波长190nm-800nm，190是选配)椭圆偏振法，宽波长段反射测量法，单波长(激光源)椭圆偏振法。所以可以应用范围更宽，从薄到厚都可以测。多层薄膜叠加测量能力很强。Rudolph的椭圆偏振法可最多选装四种不同波长的激光源，每种可以以40-70度的入射角测量。还有一个氘灯光源(190nm-300nm)的反射测量法。光源的局限决定了应用范围的比较狭小，一般只有炉管区用来测SiO2，Poly，SiN。大于三层薄膜叠加测量能力弱。如果只想用台式测量仪。具有宽波长段SE技术的基本都可以。公司有Woollam，SOPRA等。查看原帖>；>；
小于10nm的SiO2薄膜厚度怎样准确测量？ 这两家都是自动膜厚测量设备，适用于8寸和12寸硅片。KLA-Tencor膜厚设备集成了宽波长段(波长190nm-800nm，190是选配)椭圆偏振法，宽波长段反射测量法，单波长(激光源)椭圆。
