介质损耗因数的介质损耗正切值tgδ 又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下：如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流。
使用损耗角表示电容器介质损耗有什么优点？ 损耗角正切值是电容电损耗的比例，如果对一个电容加上一个电压，除了对电容充电的电流外还有漏掉的电流（电容的漏电流），漏电流被消耗成了热能，因此表示为电阻上的电流。漏电流与纯电容的充电电流之比就是电容损耗角正切值（理论上纯粹的电容是不耗电功率的），这个值越小，电容的性能越好。
为什么光从光疏介质斜射光密介质的反射光线会有半波损失？（请说下原理，求易懂） 楼上的回答原理是正确的，不过结果说的不是很清楚。实际上是反射光存在半波损失，而折射光不存在半波损失。原因要从光的波动理论解释，简单说就是光的震动方向和传播方向垂直，在界面处振动方向没有突变，而反射光的传播方向发生了180度反转，经过矢量合成，是的总的方向发生了半个波长的突变，称为半波损失。
介质损耗测试仪有什么用途？ 说白了介质损耗测试仪其实就是测试绝缘材料能束缚电荷的能力有多强。是电性检测设备的一种.
为什么光从光疏介质斜射光密介质的反射光线会有半波损失？（请说下原理，求易懂） 楼上的回答原理是正确的，不过结果说的不是很清楚.实际上是反射光存在半波损失，而折射光不存在半波损失.原因要从光的波动理论解释，简单说就是光的震动方向和传播方向垂直，在界面处振动方向没有突变，而反射光的传播方向发生了180度反转，经过矢量合成，是的总的方向发生了半个波长的突变，称为半波损失.
仪表盘校接线是指外购成套盘安装完毕后，按仪表盘后配线图、原理图接线检查校正修改，排除错误，这种
什么是变压器的介质损耗 对不起恕我直言：草头蒜兄所说好像不对：(1)草头蒜兄所说的是电介质损耗，主要是电容性的设备上的；而楼主问的是变压器的介质损耗，应该主要是指磁介质损耗。(2)草头蒜兄所说的“异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗正切值tanδ。这句话可能将分子分母说反了。理想的电容上的电流应该是只有无功成分，有了有功成分就是有“损耗”了，故有功成分应该是分子。公式tanδ=1/ωCR是对的。这里其实就是（1/R）和（ωC）之比，（1/R）正比于有功电流，（ωC）正比于无功电流。电介质损耗等效于一个电阻R与电容并联。回到楼主的问题上。楼主问的应该主要是指磁介质损耗。对于磁介质损耗，主要包括两部分：一部分是磁滞损耗，另一部分是涡流损耗。磁滞损耗是因为铁芯存在“磁滞回线”，以至于感生电动势和磁化电流之间的相位差不等于90度了。我们知道，如果是90度，这个电流就是“无功”的了，现在不等于90度，相当于并联上了一个有功的电流成分。涡流损耗同样也等效于并连上了一个有功的电流成分。变压器正常工作时，二次侧电流和一次测电流的主要部分所产生的磁场是抵消的。抵消后剩下的磁场大致应该等于空载时（二次电流为零时）的磁场（假设忽略电阻和漏磁）。所以，。
