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如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 硅的雪崩电离系数

2021-04-27知识3

雪崩式电离效应 我的理解与楼上差不多:分子本是中性,在电场中分子一般不会在电场作用下移动,当电场强到某一特定值(不能太强,太强就会强行将分子拉开—即电离了)时,分子还没有电离,但。

如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 一、性质不同1、雪崩击穿:新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应,势垒层中载流子的数量急剧增加,流过PN结的电流急剧。

齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数 我来试一试(为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数)分一下几个过程:1、温度升高,晶格的热振动加剧,使载流子运动的平均自由程缩短;(也可以从迁移率下降来理解)2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了,而如果加速度(外加电压)不变的话,就达不到碰撞电离的速度(雪崩击穿);3、那如果要达到碰撞电离的速度,我们就需要提高外界电压(即提高加速度),也就是雪崩击穿电压变大了;4、综上,温度升高导致雪崩击穿电压升高,即具有正温度系数。

#硅的雪崩电离系数

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