为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也。
电容器是什么
求几种集成电路工艺中高精度电阻和电容的制作方法？？ 2高精度电阻的制作2．1掺杂法集成电路中用掺杂法制作电阻，一般采用扩散电阻法和离子注入法。2．1．1扩散电阻法扩散电阻法工艺简单，但精度较低，寄生效应大，面积较大。。
什么是平带电位？ 平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路e799bee5baa6e997aee7ad94e78988e69d8331333431363539，也就是说不会产生光电流。相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。扩展资料：平带电压计算平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响1）Vfb1Vfb1=φms=φg-φf；对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。φf是相对于本征费米能级的费米势。2）Vfb2以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。参考资料来源：-平带电位
胆质电容的耐压值字母A、B、C、D分别代表多少伏？
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式？ α＝Ec／Ey＋〔（Ec／Ey）2＋1〕1／2为修正因子，Ecrit＝αEc为修正后的速度饱和临界电场，Ey＝Vds／L为Y方向电场。
