芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？ 关键点不是操作的步骤，而是怎么弄的那么小，毕竟，按照普通人的理解，细都头发丝就很难准确操作了，希…
氮气用途是什么？
RF.RJ.RX.RY系列各代表什么电阻 1．薄膜类在玻璃或陶瓷基体上沉积一层碳膜、金属膜、金属氧化膜等形成电阻薄膜，膜的厚度一般在几微米以下.（1）金属膜电阻（型号：RJ）.在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜.其特点是：精度高、稳定性好、噪声低、体积小、高频特性好.且允许工作环境温度范围大（-55～+125℃）、温度系数低（（50～100）×10-6/℃）.目前是组成电子电路应用最广泛的电阻之一.常用额定功率有1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W等，标称阻值在10W～10MW之间.（2）金属氧化膜电阻（型号：RY）.在玻璃、瓷器等材料上，通过高温以化学反应形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层.该电阻器由于氧化膜膜层比较厚，因而具有极好的脉冲、高频和过负荷性能，且耐磨、耐腐蚀、化学性能稳定.但阻值范围窄，温度系数比金属膜电阻差.（3）碳膜电阻（型号：RT）.在陶瓷骨架表面上，将碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜.碳膜电阻价格低廉，阻值范围宽（10W～10MW），温度系数为负值.常用额定功率为1/8W～10W，精度等级为±5％、±10％、±20％，在一般电子产品中大量使用.2．合金类用块状电阻合金拉制成合金线或碾压成合金箔制成电阻，主要包括：（1）线绕电阻（型号：RX）。.
光刻胶的作用 光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂，是以智能管感光材料，在光的照射与溶解度发生变化。光刻胶成份光刻胶通常有三种成分：感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。1、负性光刻胶主要有聚肉桂酸系（聚酯胶）和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。2、正性光刻胶主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。最常用的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。gkjyy.jpg光刻胶的特点1、在光的照射下溶解速率发生变化，利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移；2、溶解抑制/溶解促进共同作用；3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同；光刻胶的主要技术参数1、分辨率：区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。2、对比度：指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭。
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光刻 \\湿刻＼干法刻蚀有何不同 呵呵，我以前在半导体做2113了两年啊！懂一点5261点吧！以前我在的是蚀刻4102区！半导体1653制蚀刻(Etching)(三)蚀刻(Etching)蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。1、湿蚀刻最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etching rate)的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring)之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提高蚀刻速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF蚀刻SiO2，当然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行蚀刻时。
正型光刻胶和负型光刻胶的区别 最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液；负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask，正胶和负胶曝光显影后图形是相反的
