分析本征半导体电阻率与载流子浓度迁移率和温度有什么关系 决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于 载流子浓度指数式增大（施主或 受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下：由于施主或 受主杂质已经完全电离，则 载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致 声子散射增强所致），所以 电阻率将随着温度的升高而增大。在 高温下：这时 本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是 电阻率随着温度的升高而下降。
硅本质半导体掺杂浓度大约是多少？ 锗的少子浓度高300K时，Si本征载流子浓度为1*10^10，电子空穴迁移率分别为1450，500Ge为2.4*10^13，3800，1800首先假设两种材料的掺杂种类都为N型，浓度分别为ns和ng，并且为中等浓度掺杂电导率(忽略少子参与的导电)相等即ns*1450=ng*3800ns=2.6ng因为掺杂为N，少子应该是空穴，所以ns>；ng，ps锗中的少子浓度高以上是最简单的情况如果再复杂一些就是低掺杂和高掺杂了，和掺杂种类不同的情况
半导体器件课后作业的两道题，那位专家能解答一下~~貌似给出的选项是矛盾的。。。。 半导体器件课后作业的两道题，那位专家能解答一下~貌似给出的选项是矛盾的。1.电子迁移率为1500，400k下其扩散系数为：A39 B52 C70；2.n型半导体在室温下扩散系数为39，则。
求出本证硅及本证砷化镓在300K时的电阻率怎么求 一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件—体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
